微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
4期
565-568
,共4页
横向绝缘栅双极晶体管%横向器件%快速关断
橫嚮絕緣柵雙極晶體管%橫嚮器件%快速關斷
횡향절연책쌍겁정체관%횡향기건%쾌속관단
提出了一种可快速关断的新型横向绝缘栅双极晶体管(LIGBT).在LIGBT关断时,利用一个集成的PMOS晶体管来短路发射结,以获得短的关断时间.PMOS晶体管由LIGBT驱动,不需要外部驱动电路.新器件在没有带来任何副作用(如snap-back现象和工艺制造上的困难)的情况下,获得了低的导通压降和快的关断速度.数值仿真结果表明,新器件在不增加导通压降的同时,将关断时间从120 ns降到12 ns.
提齣瞭一種可快速關斷的新型橫嚮絕緣柵雙極晶體管(LIGBT).在LIGBT關斷時,利用一箇集成的PMOS晶體管來短路髮射結,以穫得短的關斷時間.PMOS晶體管由LIGBT驅動,不需要外部驅動電路.新器件在沒有帶來任何副作用(如snap-back現象和工藝製造上的睏難)的情況下,穫得瞭低的導通壓降和快的關斷速度.數值倣真結果錶明,新器件在不增加導通壓降的同時,將關斷時間從120 ns降到12 ns.
제출료일충가쾌속관단적신형횡향절연책쌍겁정체관(LIGBT).재LIGBT관단시,이용일개집성적PMOS정체관래단로발사결,이획득단적관단시간.PMOS정체관유LIGBT구동,불수요외부구동전로.신기건재몰유대래임하부작용(여snap-back현상화공예제조상적곤난)적정황하,획득료저적도통압강화쾌적관단속도.수치방진결과표명,신기건재불증가도통압강적동시,장관단시간종120 ns강도12 ns.
