真空
真空
진공
VACUUM
2005年
3期
23-26
,共4页
马国佳%张华芳%武洪臣%蒋艳莉%彭丽平
馬國佳%張華芳%武洪臣%蔣豔莉%彭麗平
마국가%장화방%무홍신%장염리%팽려평
SiC-C/SiC%离子注入%复合材料%等离子体源
SiC-C/SiC%離子註入%複閤材料%等離子體源
SiC-C/SiC%리자주입%복합재료%등리자체원
叙述采用等离子体源离子注入法(PSII),对带有SiC涂层的C纤维增强SiC基(SiC-C/SiC)复合材料进行硼离子注入的工艺研究.通过朗缪尔单探针测量了等离子的密度,对注入剂量进行了估算.对复合材料采用加金属网的工艺,来提高离子注入能量.用俄歇电子能谱检测分析了加金属网与未加金属网样品硼离子的成分深度分布.证明了加金属网工艺可以有效改善不良导体的注入效果.在空气中1300℃的高温条件下进行了氧化实验,实验结果说明对SiC-C/SiC复合材料注入硼有助于提高其抗氧化性能.
敘述採用等離子體源離子註入法(PSII),對帶有SiC塗層的C纖維增彊SiC基(SiC-C/SiC)複閤材料進行硼離子註入的工藝研究.通過朗繆爾單探針測量瞭等離子的密度,對註入劑量進行瞭估算.對複閤材料採用加金屬網的工藝,來提高離子註入能量.用俄歇電子能譜檢測分析瞭加金屬網與未加金屬網樣品硼離子的成分深度分佈.證明瞭加金屬網工藝可以有效改善不良導體的註入效果.在空氣中1300℃的高溫條件下進行瞭氧化實驗,實驗結果說明對SiC-C/SiC複閤材料註入硼有助于提高其抗氧化性能.
서술채용등리자체원리자주입법(PSII),대대유SiC도층적C섬유증강SiC기(SiC-C/SiC)복합재료진행붕리자주입적공예연구.통과랑무이단탐침측량료등리자적밀도,대주입제량진행료고산.대복합재료채용가금속망적공예,래제고리자주입능량.용아헐전자능보검측분석료가금속망여미가금속망양품붕리자적성분심도분포.증명료가금속망공예가이유효개선불량도체적주입효과.재공기중1300℃적고온조건하진행료양화실험,실험결과설명대SiC-C/SiC복합재료주입붕유조우제고기항양화성능.
