MOCVD生长低阈值电流GaInP/AlGaInP650nm激光器
MOCVD생장저역치전류GaInP/AlGaInP650nm격광기
MOCVD Epitaxy Growth of Low Threshold GaInP/AlGaInP 650nm Laser Diodes
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2006年 6期 1247-1250 ,共4页

    夏伟%王翎%李树强%张新%马德营%任忠祥%徐现刚

    하위%왕령%리수강%장신%마덕영%임충상%서현강

    MOCVD%低阈值电流%650nm激光器 MOCVD%低閾值電流%650nm激光器
    MOCVD%저역치전류%650nm격광기
    通过MOCVD外延实现了限制层高铝组分及高掺杂,制作出低阈值电流密度的压应变多量子阱激光器材料,后工艺制备了低阈值电流基横模弱折射率脊形波导激光器.该激光器阈值电流最低达到6.2mA,这是我们所见报道的650nm AlGaInP红光激光器的最低阈值电流. 在25mA 工作电流下,基横模连续输出功率达到18mW.
    통과MOCVD외연실현료한제층고려조분급고참잡,제작출저역치전류밀도적압응변다양자정격광기재료,후공예제비료저역치전류기횡모약절사솔척형파도격광기.해격광기역치전류최저체도6.2mA,저시아문소견보도적650nm AlGaInP홍광격광기적최저역치전류. 재25mA 공작전류하,기횡모련속수출공솔체도18mW.
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