半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
3期
230-233
,共4页
许敏%袁凤坡%陈国鹰%李冬梅%尹甲运%冯志宏
許敏%袁鳳坡%陳國鷹%李鼕梅%尹甲運%馮誌宏
허민%원봉파%진국응%리동매%윤갑운%풍지굉
调制掺杂%AlGaN/GaN%高电子迁移率晶体管%迁移率
調製摻雜%AlGaN/GaN%高電子遷移率晶體管%遷移率
조제참잡%AlGaN/GaN%고전자천이솔정체관%천이솔
利用范德堡Hall方法和汞探针C-V方法,研究了不同Si调制掺杂浓度对AlGaN/GaN HEMT材料电学性质的影响.发现si掺杂可以改善材料电学性能,二维电子气(2DEG)面密度和方块电阻(ns×μ)可以通过si调制掺杂精确控制.当Si掺杂浓度为3×10(18)cm-3时,得到了最低的方块电阻360Ω/□.尽管受到高浓度电子和离化杂质对二维电子气的散射影响,迁移率仍可达1220cm2/(V·s).分析了范德堡Hall方法和汞探针C-V方法的差别,同时测得材料的阈值电压也在合理范围.
利用範德堡Hall方法和汞探針C-V方法,研究瞭不同Si調製摻雜濃度對AlGaN/GaN HEMT材料電學性質的影響.髮現si摻雜可以改善材料電學性能,二維電子氣(2DEG)麵密度和方塊電阻(ns×μ)可以通過si調製摻雜精確控製.噹Si摻雜濃度為3×10(18)cm-3時,得到瞭最低的方塊電阻360Ω/□.儘管受到高濃度電子和離化雜質對二維電子氣的散射影響,遷移率仍可達1220cm2/(V·s).分析瞭範德堡Hall方法和汞探針C-V方法的差彆,同時測得材料的閾值電壓也在閤理範圍.
이용범덕보Hall방법화홍탐침C-V방법,연구료불동Si조제참잡농도대AlGaN/GaN HEMT재료전학성질적영향.발현si참잡가이개선재료전학성능,이유전자기(2DEG)면밀도화방괴전조(ns×μ)가이통과si조제참잡정학공제.당Si참잡농도위3×10(18)cm-3시,득도료최저적방괴전조360Ω/□.진관수도고농도전자화리화잡질대이유전자기적산사영향,천이솔잉가체1220cm2/(V·s).분석료범덕보Hall방법화홍탐침C-V방법적차별,동시측득재료적역치전압야재합리범위.
