中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2009年
6期
1356-1359
,共4页
裘利平%郭伟玲%罗丹%崔碧峰%张蕾%沈光地
裘利平%郭偉玲%囉丹%崔碧峰%張蕾%瀋光地
구리평%곽위령%라단%최벽봉%장뢰%침광지
激光器%大功率激光器%热特性%无铝%特征温度
激光器%大功率激光器%熱特性%無鋁%特徵溫度
격광기%대공솔격광기%열특성%무려%특정온도
利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/OaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性曲线,对比分析了两种材料系980 am激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化,并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验.
利用低壓金屬有機化學氣相沉積(LP-MOCVD)生長瞭無鋁980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP單量子阱(SQW)激光器,測試瞭含鋁的InGaAs/OaAs/AlGaAs和無鋁的InGaAs/InGaAsP/InGaP兩種不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃範圍內的P-I-V特性麯線,對比分析瞭兩種材料繫980 am激光器輸齣光功率、閾值電流、斜率效率和激射波長隨溫度的變化,併對InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器進行瞭可靠性實驗.
이용저압금속유궤화학기상침적(LP-MOCVD)생장료무려980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP단양자정(SQW)격광기,측시료함려적InGaAs/OaAs/AlGaAs화무려적InGaAs/InGaAsP/InGaP량충불동재료적980 nmInGaAs SQW격광기재30～70℃범위내적P-I-V특성곡선,대비분석료량충재료계980 am격광기수출광공솔、역치전류、사솔효솔화격사파장수온도적변화,병대InGaAs/InGaAsP/InGaP격광기진행료가고성실험.
