光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
2期
122-126
,共5页
贾贞%翁卫祥%袁军林%张杰%李昱%郭太良
賈貞%翁衛祥%袁軍林%張傑%李昱%郭太良
가정%옹위상%원군림%장걸%리욱%곽태량
AlN薄膜%中频反应磁控溅射%电学性能%导通机制
AlN薄膜%中頻反應磁控濺射%電學性能%導通機製
AlN박막%중빈반응자공천사%전학성능%도통궤제
利用中频反应磁控溅射在玻璃衬底上沉积了不同溅射功率的AlN薄膜.采用X射线衍射仪、原子力显微镜和电击穿场强测试系统研究了薄膜的结构和电学性能,并对该介质薄膜的导通机制进行了分析.结果表明,所制备的薄膜呈非晶态,5 kw溅射功率下制备的薄膜具有较好的表面结构,并具有较高的耐击穿场强,约为2.1 MV/cm;结合理论分析发现,AlN在不同的场强条件下以某一种导通作为主要的导通机制:低场强区服从欧姆定律,随着场强升高,在不同的阶段分别以肖特基效应,普尔-弗兰凯尔效应和F-N效应为主.
利用中頻反應磁控濺射在玻璃襯底上沉積瞭不同濺射功率的AlN薄膜.採用X射線衍射儀、原子力顯微鏡和電擊穿場彊測試繫統研究瞭薄膜的結構和電學性能,併對該介質薄膜的導通機製進行瞭分析.結果錶明,所製備的薄膜呈非晶態,5 kw濺射功率下製備的薄膜具有較好的錶麵結構,併具有較高的耐擊穿場彊,約為2.1 MV/cm;結閤理論分析髮現,AlN在不同的場彊條件下以某一種導通作為主要的導通機製:低場彊區服從歐姆定律,隨著場彊升高,在不同的階段分彆以肖特基效應,普爾-弗蘭凱爾效應和F-N效應為主.
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