计算物理
計算物理
계산물리
CHINESE JOURNAL OF COMPUTATIONAL PHYSICS
2011年
3期
451-455
,共5页
康玲玲%刘廷禹%张启仁%徐灵芝
康玲玲%劉廷禹%張啟仁%徐靈芝
강령령%류정우%장계인%서령지
电子结构%F心%离散变分法%BaMgF4晶体
電子結構%F心%離散變分法%BaMgF4晶體
전자결구%F심%리산변분법%BaMgF4정체
运用相对论性的密度泛函离散变分法(DV-X)研究BaMgF4晶体中F型色心的电子结构.计算中采用冻结原子核的H原子模拟F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p态,使F心激发态的计算结果在物理上更加合理.计算结果表明,F心的基态和激发态均出现在禁带中;并用过渡态的方法计算得到F心的电子从基态到激发态的光学跃迁能量为5.12eV,对应242nm处的吸收带,计算结果与实验结果吻合得很好,因此,推测F心在BaMgF4晶体中引起236～274 nm的吸收.
運用相對論性的密度汎函離散變分法(DV-X)研究BaMgF4晶體中F型色心的電子結構.計算中採用凍結原子覈的H原子模擬F心,在DV-Xα源程序增加H原子2p態,使F心激髮態的計算結果在物理上更加閤理.計算結果錶明,F心的基態和激髮態均齣現在禁帶中;併用過渡態的方法計算得到F心的電子從基態到激髮態的光學躍遷能量為5.12eV,對應242nm處的吸收帶,計算結果與實驗結果吻閤得很好,因此,推測F心在BaMgF4晶體中引起236～274 nm的吸收.
운용상대론성적밀도범함리산변분법(DV-X)연구BaMgF4정체중F형색심적전자결구.계산중채용동결원자핵적H원자모의F심,재DV-Xα원정서증가H원자2p태,사F심격발태적계산결과재물리상경가합리.계산결과표명,F심적기태화격발태균출현재금대중;병용과도태적방법계산득도F심적전자종기태도격발태적광학약천능량위5.12eV,대응242nm처적흡수대,계산결과여실험결과문합득흔호,인차,추측F심재BaMgF4정체중인기236～274 nm적흡수.
