电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2001年
1期
7-9
,共3页
彭炜%周桃生%郑克玉%邝安祥
彭煒%週桃生%鄭剋玉%鄺安祥
팽위%주도생%정극옥%광안상
改性钛酸铅%低温烧结%组成设计%烧结机制
改性鈦痠鉛%低溫燒結%組成設計%燒結機製
개성태산연%저온소결%조성설계%소결궤제
在比较分析与实验的基础上,采用添加少量低熔物获得了一种新的低温烧结改性PbTiO3压电陶瓷组成,并对低温烧结机理进行了初步探讨。结果表明,改性PT陶瓷烧结温度可降低200~300℃。960℃烧成时的主要性能参数为kt=0.49,kp=0.027,d33=65×10-12C.N-1,Qm=514,ρv = 7.4×103 kg.m-3,tC= 312℃,εT33/ε0=177,tgδ=0.63%。该材料不仅可抑制铅挥发对环境的污染,还可在叠层压电陶瓷器件方面获得重要应用。
在比較分析與實驗的基礎上,採用添加少量低鎔物穫得瞭一種新的低溫燒結改性PbTiO3壓電陶瓷組成,併對低溫燒結機理進行瞭初步探討。結果錶明,改性PT陶瓷燒結溫度可降低200~300℃。960℃燒成時的主要性能參數為kt=0.49,kp=0.027,d33=65×10-12C.N-1,Qm=514,ρv = 7.4×103 kg.m-3,tC= 312℃,εT33/ε0=177,tgδ=0.63%。該材料不僅可抑製鉛揮髮對環境的汙染,還可在疊層壓電陶瓷器件方麵穫得重要應用。
재비교분석여실험적기출상,채용첨가소량저용물획득료일충신적저온소결개성PbTiO3압전도자조성,병대저온소결궤리진행료초보탐토。결과표명,개성PT도자소결온도가강저200~300℃。960℃소성시적주요성능삼수위kt=0.49,kp=0.027,d33=65×10-12C.N-1,Qm=514,ρv = 7.4×103 kg.m-3,tC= 312℃,εT33/ε0=177,tgδ=0.63%。해재료불부가억제연휘발대배경적오염,환가재첩층압전도자기건방면획득중요응용。
A modified low-temperature sintering PbTiO3 piezoelectric ceramics is obtained by adding small quantity additive of low melt point SiO2. Its sintering
temperature reduces by 200~300℃.Of the piezoelectric ceramics sintered at 900 ℃, the main parameters arc kt=0.49, kp=0.027, d33=65× 10-12 C N, Qm=514,
ρv = 7.4× 103kg/m3, T= 312 ℃, e33T/ε0 = 177, tgδ. = 063%. The low-temperature sintering mechanism is discussed. The material can be used for
stack piezoelectric ceramic devices. With it, PbO volatilization can be restrained.(7 refs.)