微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2003年
4期
273-275
,共3页
茅惠兵%忻佩胜%胡梅丽%赖宗声
茅惠兵%忻珮勝%鬍梅麗%賴宗聲
모혜병%흔패성%호매려%뢰종성
微机电系统%微波/射频开关%共平面波导%悬臂梁%插入损耗%隔离度
微機電繫統%微波/射頻開關%共平麵波導%懸臂樑%插入損耗%隔離度
미궤전계통%미파/사빈개관%공평면파도%현비량%삽입손모%격리도
文章主要讨论了微机电微波/射频开关的原理、制备工艺和特性测试.微机电接触式微波/射频开关的关键结构是悬臂梁,当控制电压大于吸合电压时,悬臂梁发生吸合,使开关导通.考虑到微机电制备工艺的兼容性,选择PECVD生长的氮化硅作悬臂梁,聚酰亚胺作牺牲层.测试结果表明,研制的微机电开关在0.5～5 GHz的范围内插入损耗为2 dB,隔离度达30～50 dB.
文章主要討論瞭微機電微波/射頻開關的原理、製備工藝和特性測試.微機電接觸式微波/射頻開關的關鍵結構是懸臂樑,噹控製電壓大于吸閤電壓時,懸臂樑髮生吸閤,使開關導通.攷慮到微機電製備工藝的兼容性,選擇PECVD生長的氮化硅作懸臂樑,聚酰亞胺作犧牲層.測試結果錶明,研製的微機電開關在0.5～5 GHz的範圍內插入損耗為2 dB,隔離度達30～50 dB.
문장주요토론료미궤전미파/사빈개관적원리、제비공예화특성측시.미궤전접촉식미파/사빈개관적관건결구시현비량,당공제전압대우흡합전압시,현비량발생흡합,사개관도통.고필도미궤전제비공예적겸용성,선택PECVD생장적담화규작현비량,취선아알작희생층.측시결과표명,연제적미궤전개관재0.5～5 GHz적범위내삽입손모위2 dB,격리도체30～50 dB.
