半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
3期
354-356
,共3页
超辐射发光二极管%量子阱%光刻
超輻射髮光二極管%量子阱%光刻
초복사발광이겁관%양자정%광각
量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性.简要介绍了一种1.3 μm量子阱结构超辐射发光二极管的外延结构,就该结构的一次光刻工艺进行了详细介绍.通过一系列的实验,确定出一个在现有条件下一次光刻的最佳工艺条件.
量子阱結構超輻射髮光二極管(SLD)具有良好的溫度特性和一緻性.簡要介紹瞭一種1.3 μm量子阱結構超輻射髮光二極管的外延結構,就該結構的一次光刻工藝進行瞭詳細介紹.通過一繫列的實驗,確定齣一箇在現有條件下一次光刻的最佳工藝條件.
양자정결구초복사발광이겁관(SLD)구유량호적온도특성화일치성.간요개소료일충1.3 μm양자정결구초복사발광이겁관적외연결구,취해결구적일차광각공예진행료상세개소.통과일계렬적실험,학정출일개재현유조건하일차광각적최가공예조건.
