利用常规工艺提高光子晶体GaN LED的出光效率
이용상규공예제고광자정체GaN LED적출광효솔
Enhancement of light extraction of photonic crystal GaN light emitting diodes(LEDs)using conventional technics
  • 万方数据
    光电子·激光 광전자·격광
    JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
    2008年 5期 569-572 ,共4页

    胡海洋%许兴胜%鲁琳%宋倩%杜伟%王春霞%陈弘达

    호해양%허흥성%로림%송천%두위%왕춘하%진홍체

    光子晶体%GaN%LED%ICP 光子晶體%GaN%LED%ICP
    광자정체%GaN%LED%ICP
    计算了GaN二维光子晶体的能带结构,并利用常规工艺在国内首次制备出了GaN基二维平板结构的光子晶体蓝光LED.经过器件测试表明,与没有制作光子晶体的器件相比,光子晶体使器件的有效出光效率达到了原来的1.5倍以上.另外,还对感应耦合等离子体刻蚀(ICP)的制备光子晶体LED的刻蚀工艺进行了分析.
    계산료GaN이유광자정체적능대결구,병이용상규공예재국내수차제비출료GaN기이유평판결구적광자정체람광LED.경과기건측시표명,여몰유제작광자정체적기건상비,광자정체사기건적유효출광효솔체도료원래적1.5배이상.령외,환대감응우합등리자체각식(ICP)적제비광자정체LED적각식공예진행료분석.
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