AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究
AgGa1-xInxSe2정체적생장습성연구
Study on the Growth Habits of AgGa1-xInxSe2 Crystals
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2009年 2期 301-304 ,共4页

    赵国栋%朱世富%赵北君%万书权%陈宝军%何知宇%王莹%龙勇

    조국동%주세부%조북군%만서권%진보군%하지우%왕형%룡용

    AgGa1-xInxSe2%晶体生长%布里奇曼法%生长习性%实时补温技术 AgGa1-xInxSe2%晶體生長%佈裏奇曼法%生長習性%實時補溫技術
    AgGa1-xInxSe2%정체생장%포리기만법%생장습성%실시보온기술
    采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.
    채용DTA대불동인함량(x)적AgGa1-xInxSe2다정용화화결정온도진행료측시.결과표명:수착x치적증가기과랭도증대.채용개진적수직포리기만법화실시보온기술,대AgGa1-xInxSe2정체생장과정중적결정특성화생장온도장관계진행료연구,병대기결정형태진행료관측.발현:수착정체생장과정적진행,용체결정온도정하강추세,고-액계면발생이동;생장정체표면존재외형규칙、형상상동적반구상소공,유취향일치적태계반광면,소공저부위{112}면.연구결과위대척촌、고질량적AgGa1-xInxSe2단정체생장전정료기출,생장출료척촌체20 mm×60 mm적완정AgGa1-xInxSe2단정체.
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