半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
7期
510-515
,共6页
丁凯凯%冯士维%郭春生%刘静
丁凱凱%馮士維%郭春生%劉靜
정개개%풍사유%곽춘생%류정
热分析%功率VDMOS%真空%可靠性%热设计
熱分析%功率VDMOS%真空%可靠性%熱設計
열분석%공솔VDMOS%진공%가고성%열설계
针对功率VDMOS真空下壳温显著升高的问题,对安装叉指形散热器的功率VDMOS进行了三维建模和温度场模拟分析,研究了其在大气与真空环境下的散热模型.真空环境下功率为10 W、散热片面积为278.42 cm2时,VDMOS壳温较大气下升高了89.8℃.找出了VDMOS大气及真空下壳温与工作功率及散热器表面积之间存在的关系,并进行了相应实验,利用公式计算出的器件壳温与实验壳温的最大差值,大气下不超过2℃、真空下不超过3℃,皆未超过5%,该公式可以作为功率VDMOS应用及热设计的参考依据.分析了真空环境下,功率VDMOS壳温显著升高的原因,并提出了改善措施.
針對功率VDMOS真空下殼溫顯著升高的問題,對安裝扠指形散熱器的功率VDMOS進行瞭三維建模和溫度場模擬分析,研究瞭其在大氣與真空環境下的散熱模型.真空環境下功率為10 W、散熱片麵積為278.42 cm2時,VDMOS殼溫較大氣下升高瞭89.8℃.找齣瞭VDMOS大氣及真空下殼溫與工作功率及散熱器錶麵積之間存在的關繫,併進行瞭相應實驗,利用公式計算齣的器件殼溫與實驗殼溫的最大差值,大氣下不超過2℃、真空下不超過3℃,皆未超過5%,該公式可以作為功率VDMOS應用及熱設計的參攷依據.分析瞭真空環境下,功率VDMOS殼溫顯著升高的原因,併提齣瞭改善措施.
침대공솔VDMOS진공하각온현저승고적문제,대안장차지형산열기적공솔VDMOS진행료삼유건모화온도장모의분석,연구료기재대기여진공배경하적산열모형.진공배경하공솔위10 W、산열편면적위278.42 cm2시,VDMOS각온교대기하승고료89.8℃.조출료VDMOS대기급진공하각온여공작공솔급산열기표면적지간존재적관계,병진행료상응실험,이용공식계산출적기건각온여실험각온적최대차치,대기하불초과2℃、진공하불초과3℃,개미초과5%,해공식가이작위공솔VDMOS응용급열설계적삼고의거.분석료진공배경하,공솔VDMOS각온현저승고적원인,병제출료개선조시.
