电子器件
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전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2011年
2期
119-124
,共6页
赵静%常本康%熊雅娟%张益军%张俊举
趙靜%常本康%熊雅娟%張益軍%張俊舉
조정%상본강%웅아연%장익군%장준거
光学薄膜%Ga1-χAlχAs/GaAs%光电阴极%光学性能%光电发射性能%光谱曲线
光學薄膜%Ga1-χAlχAs/GaAs%光電陰極%光學性能%光電髮射性能%光譜麯線
광학박막%Ga1-χAlχAs/GaAs%광전음겁%광학성능%광전발사성능%광보곡선
为了探索发射层厚度对指数掺杂Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极光学性能与光电发射性能的影响,实验制备了两种发射层厚度不同的阴极样品,并测试得到400μm～1 000 nm内反射率、透射率与光谱响应曲线.实验结果说明发射层2.0 μm厚的样品比1.6μm厚的样品性能更好.利用薄膜光学矩阵理论公式计算阴极膜系反射率、透射率、吸收率与发射层厚度的关系公式,并对原有的量子效率公式进行光谱反射率和短波截止限的修正.用修正后的公式仿真不同发射层厚度下光阴极吸收率与光谱响应曲线,指出发射层厚度对阴极光学性能与光电发射性能的不同影响.进一步计算得到指数掺杂的Ga1-χAlχAs/GaAs光电阴极最佳发射层厚度范围是1.8μm～2.4μm.
為瞭探索髮射層厚度對指數摻雜Ga1-χAlχAs/GaAs光電陰極光學性能與光電髮射性能的影響,實驗製備瞭兩種髮射層厚度不同的陰極樣品,併測試得到400μm～1 000 nm內反射率、透射率與光譜響應麯線.實驗結果說明髮射層2.0 μm厚的樣品比1.6μm厚的樣品性能更好.利用薄膜光學矩陣理論公式計算陰極膜繫反射率、透射率、吸收率與髮射層厚度的關繫公式,併對原有的量子效率公式進行光譜反射率和短波截止限的脩正.用脩正後的公式倣真不同髮射層厚度下光陰極吸收率與光譜響應麯線,指齣髮射層厚度對陰極光學性能與光電髮射性能的不同影響.進一步計算得到指數摻雜的Ga1-χAlχAs/GaAs光電陰極最佳髮射層厚度範圍是1.8μm～2.4μm.
위료탐색발사층후도대지수참잡Ga1-χAlχAs/GaAs광전음겁광학성능여광전발사성능적영향,실험제비료량충발사층후도불동적음겁양품,병측시득도400μm～1 000 nm내반사솔、투사솔여광보향응곡선.실험결과설명발사층2.0 μm후적양품비1.6μm후적양품성능경호.이용박막광학구진이론공식계산음겁막계반사솔、투사솔、흡수솔여발사층후도적관계공식,병대원유적양자효솔공식진행광보반사솔화단파절지한적수정.용수정후적공식방진불동발사층후도하광음겁흡수솔여광보향응곡선,지출발사층후도대음겁광학성능여광전발사성능적불동영향.진일보계산득도지수참잡적Ga1-χAlχAs/GaAs광전음겁최가발사층후도범위시1.8μm～2.4μm.
