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전자원기건자신
ECDN
2010年
11期
62-65
,共4页
移相器%GaAs MESFET%高/低通网络
移相器%GaAs MESFET%高/低通網絡
이상기%GaAs MESFET%고/저통망락
本文设计了11.4～12.8GHz频段内五位数字移相器的电路拓扑.采用GaAs MESMET技术建立封须开关模型,对高/低通网络型网络拓扑及场效应管嵌入桥π型电路的移相器拓扑进行仿真,结果表明,当中心须率在12GHz时,达到精确的移相度数,在整个频带内插入损耗小于2dB,移相精度(RMS)小于30,移相前后电压驻波比小于1.35.
本文設計瞭11.4～12.8GHz頻段內五位數字移相器的電路拓撲.採用GaAs MESMET技術建立封鬚開關模型,對高/低通網絡型網絡拓撲及場效應管嵌入橋π型電路的移相器拓撲進行倣真,結果錶明,噹中心鬚率在12GHz時,達到精確的移相度數,在整箇頻帶內插入損耗小于2dB,移相精度(RMS)小于30,移相前後電壓駐波比小于1.35.
본문설계료11.4～12.8GHz빈단내오위수자이상기적전로탁복.채용GaAs MESMET기술건립봉수개관모형,대고/저통망락형망락탁복급장효응관감입교π형전로적이상기탁복진행방진,결과표명,당중심수솔재12GHz시,체도정학적이상도수,재정개빈대내삽입손모소우2dB,이상정도(RMS)소우30,이상전후전압주파비소우1.35.
