广西大学学报（自然科学版）
廣西大學學報（自然科學版）
엄서대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF GUANGXI UNIVERSITY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2010年
5期
821-826
,共6页
周文政%代娴%林铁%徐庆庆%褚君浩
週文政%代嫻%林鐵%徐慶慶%褚君浩
주문정%대한%림철%서경경%저군호
Hg1-xCdxTe%磁输运%载流子浓度%载流子迁移率
Hg1-xCdxTe%磁輸運%載流子濃度%載流子遷移率
Hg1-xCdxTe%자수운%재류자농도%재류자천이솔
用液相外延(LPE)方法在CdZnTe衬底上生长了厚度为14.19 μm 的Hg1-xCdxTe样品.在Hg1-xCdxTe中进行As掺杂,获得低温下的p型导电材料.对As掺杂Hg1-xCdxTe样品进行了磁输运测试,获得磁电阻和Hall电阻在不同温度下随磁场的变化曲线.用最大熵原理迁移率谱结合多载流子拟合(MEPMS+MCF)的分析方法,获得样品中参与导电的载流子种类,以及每种载流子浓度和迁移率随温度的变化.结果表明,在20～280 K的温度范围,空穴的浓度开始随温度的升高不断增加,到100 K后,空穴的浓度随温度的升高逐渐减小.其迁移率在低温区随温度的升高逐渐减小,到100 K后,迁移率随温度的升高逐渐增加.在100～280 K的温度范围,本征激发的电子开始参与导电,其浓度随温度的升高不断增加,迁移率随温度的升高不断减小.用MEPMS+MCF分析方法获得的零场电阻与实验结果很好符合.
用液相外延(LPE)方法在CdZnTe襯底上生長瞭厚度為14.19 μm 的Hg1-xCdxTe樣品.在Hg1-xCdxTe中進行As摻雜,穫得低溫下的p型導電材料.對As摻雜Hg1-xCdxTe樣品進行瞭磁輸運測試,穫得磁電阻和Hall電阻在不同溫度下隨磁場的變化麯線.用最大熵原理遷移率譜結閤多載流子擬閤(MEPMS+MCF)的分析方法,穫得樣品中參與導電的載流子種類,以及每種載流子濃度和遷移率隨溫度的變化.結果錶明,在20～280 K的溫度範圍,空穴的濃度開始隨溫度的升高不斷增加,到100 K後,空穴的濃度隨溫度的升高逐漸減小.其遷移率在低溫區隨溫度的升高逐漸減小,到100 K後,遷移率隨溫度的升高逐漸增加.在100～280 K的溫度範圍,本徵激髮的電子開始參與導電,其濃度隨溫度的升高不斷增加,遷移率隨溫度的升高不斷減小.用MEPMS+MCF分析方法穫得的零場電阻與實驗結果很好符閤.
용액상외연(LPE)방법재CdZnTe츤저상생장료후도위14.19 μm 적Hg1-xCdxTe양품.재Hg1-xCdxTe중진행As참잡,획득저온하적p형도전재료.대As참잡Hg1-xCdxTe양품진행료자수운측시,획득자전조화Hall전조재불동온도하수자장적변화곡선.용최대적원리천이솔보결합다재류자의합(MEPMS+MCF)적분석방법,획득양품중삼여도전적재류자충류,이급매충재류자농도화천이솔수온도적변화.결과표명,재20～280 K적온도범위,공혈적농도개시수온도적승고불단증가,도100 K후,공혈적농도수온도적승고축점감소.기천이솔재저온구수온도적승고축점감소,도100 K후,천이솔수온도적승고축점증가.재100～280 K적온도범위,본정격발적전자개시삼여도전,기농도수온도적승고불단증가,천이솔수온도적승고불단감소.용MEPMS+MCF분석방법획득적령장전조여실험결과흔호부합.
