固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
436-440
,共5页
韩成功%郭清%韩雁%张斌%张世峰%胡佳贤
韓成功%郭清%韓雁%張斌%張世峰%鬍佳賢
한성공%곽청%한안%장빈%장세봉%호가현
高压P沟道金属氧化物场效应晶体管%半导体工艺及器件模拟工具%等离子扫描驱动芯片%双极-互补金属氧化物场效应晶体管-双扩散金属氧化物场效应晶体管工艺
高壓P溝道金屬氧化物場效應晶體管%半導體工藝及器件模擬工具%等離子掃描驅動芯片%雙極-互補金屬氧化物場效應晶體管-雙擴散金屬氧化物場效應晶體管工藝
고압P구도금속양화물장효응정체관%반도체공예급기건모의공구%등리자소묘구동심편%쌍겁-호보금속양화물장효응정체관-쌍확산금속양화물장효응정체관공예
对一种适用于106.68 cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究.通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数.HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片.PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185 V,阈值为6.5 V.整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180 V,满足了设计要求.
對一種適用于106.68 cm PDP掃描驅動IC的HV-PMOS器件進行瞭分析研究.通過使用TCAD軟件對HV-PMOS進行瞭綜閤倣真,得到瞭器件性能最優時的結構參數及工藝參數.HV-PMOS器件及整體掃描驅動IC在杭州士蘭集成電路公司完成流片.PCM(Process control module)片上的HV-PMOS擊穿電壓達到瞭185 V,閾值為6.5 V.整體掃描驅動芯片的擊穿電壓達到瞭180 V,滿足瞭設計要求.
대일충괄용우106.68 cm PDP소묘구동IC적HV-PMOS기건진행료분석연구.통과사용TCAD연건대HV-PMOS진행료종합방진,득도료기건성능최우시적결구삼수급공예삼수.HV-PMOS기건급정체소묘구동IC재항주사란집성전로공사완성류편.PCM(Process control module)편상적HV-PMOS격천전압체도료185 V,역치위6.5 V.정체소묘구동심편적격천전압체도료180 V,만족료설계요구.
