电子质量
電子質量
전자질량
ELECTRONICS QUALITY
2009年
6期
32-35
,共4页
单粒子闩锁%线能量传输%闩锁效应
單粒子閂鎖%線能量傳輸%閂鎖效應
단입자산쇄%선능량전수%산쇄효응
文章利用计算机模拟的方法分析了不同衬底CMOS反相器的单粒子闩锁(SEL)特性,分别对不同衬底CMOS反相器在电极分布和输出不同的情况下进行了研究,首先在不同电极分布时,通过电闩锁对器件进行模拟,得出不同电极分布时器件的维持电压,然后进行SEL模拟,根据模拟结果,我们发现在维持电压最小的电极分布情况下,粒子入射到阱-衬底结时,输出低电平时,器件产生闩锁后N衬底器件比P衬底器件闩锁电流大,输出高电平时,器件产生闩锁后P衬底器件比N衬底器件的闩锁电流大.通过对不同衬底器件SEL阈值的测试,我们得到N衬底器件比P衬底器件对SEL敏感,器件输出高电平时比输出低电平对SEL略敏感.
文章利用計算機模擬的方法分析瞭不同襯底CMOS反相器的單粒子閂鎖(SEL)特性,分彆對不同襯底CMOS反相器在電極分佈和輸齣不同的情況下進行瞭研究,首先在不同電極分佈時,通過電閂鎖對器件進行模擬,得齣不同電極分佈時器件的維持電壓,然後進行SEL模擬,根據模擬結果,我們髮現在維持電壓最小的電極分佈情況下,粒子入射到阱-襯底結時,輸齣低電平時,器件產生閂鎖後N襯底器件比P襯底器件閂鎖電流大,輸齣高電平時,器件產生閂鎖後P襯底器件比N襯底器件的閂鎖電流大.通過對不同襯底器件SEL閾值的測試,我們得到N襯底器件比P襯底器件對SEL敏感,器件輸齣高電平時比輸齣低電平對SEL略敏感.
문장이용계산궤모의적방법분석료불동츤저CMOS반상기적단입자산쇄(SEL)특성,분별대불동츤저CMOS반상기재전겁분포화수출불동적정황하진행료연구,수선재불동전겁분포시,통과전산쇄대기건진행모의,득출불동전겁분포시기건적유지전압,연후진행SEL모의,근거모의결과,아문발현재유지전압최소적전겁분포정황하,입자입사도정-츤저결시,수출저전평시,기건산생산쇄후N츤저기건비P츤저기건산쇄전류대,수출고전평시,기건산생산쇄후P츤저기건비N츤저기건적산쇄전류대.통과대불동츤저기건SEL역치적측시,아문득도N츤저기건비P츤저기건대SEL민감,기건수출고전평시비수출저전평대SEL략민감.
