材料研究与应用
材料研究與應用
재료연구여응용
MATERIALS RESEARCH AND APPLICATION
2008年
4期
437-440
,共4页
多晶硅薄膜%持续性光电导%晶化率
多晶硅薄膜%持續性光電導%晶化率
다정규박막%지속성광전도%정화솔
采用PECVD技术,通过改变射频功率制备了晶化率不同的多晶硅薄膜.对多晶硅材料光照稳定性的研究表明,晶化率较低的多晶硅稳定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在着光衰减;晶化率较高的多晶硅材料显示出稳恒光电导效应,不存在光衰退现象;光照时多晶硅材料的电导率增加,光注入后因光生载流子对缺陷态的填充使费米能级上移,激活能减小.
採用PECVD技術,通過改變射頻功率製備瞭晶化率不同的多晶硅薄膜.對多晶硅材料光照穩定性的研究錶明,晶化率較低的多晶硅穩定性好于普通非晶硅材料,但仍然存在著光衰減;晶化率較高的多晶硅材料顯示齣穩恆光電導效應,不存在光衰退現象;光照時多晶硅材料的電導率增加,光註入後因光生載流子對缺陷態的填充使費米能級上移,激活能減小.
채용PECVD기술,통과개변사빈공솔제비료정화솔불동적다정규박막.대다정규재료광조은정성적연구표명,정화솔교저적다정규은정성호우보통비정규재료,단잉연존재착광쇠감;정화솔교고적다정규재료현시출은항광전도효응,불존재광쇠퇴현상;광조시다정규재료적전도솔증가,광주입후인광생재류자대결함태적전충사비미능급상이,격활능감소.
