电子科技
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전자과기
IT AGE
2008年
12期
21-23,27
,共4页
高压PMOS%轻掺杂扩散结构%漏极击穿电压
高壓PMOS%輕摻雜擴散結構%漏極擊穿電壓
고압PMOS%경참잡확산결구%루겁격천전압
文中讲述了一种通过改进高压PMOS源漏极轻掺杂扩散结构(LDD),来提升高压PMOS的漏极击穿电压的工艺改进方法,并且该工艺改进不影响其他器件性能.分析了工艺改进提升漏极击穿电压的机制.
文中講述瞭一種通過改進高壓PMOS源漏極輕摻雜擴散結構(LDD),來提升高壓PMOS的漏極擊穿電壓的工藝改進方法,併且該工藝改進不影響其他器件性能.分析瞭工藝改進提升漏極擊穿電壓的機製.
문중강술료일충통과개진고압PMOS원루겁경참잡확산결구(LDD),래제승고압PMOS적루겁격천전압적공예개진방법,병차해공예개진불영향기타기건성능.분석료공예개진제승루겁격천전압적궤제.
