中国科技信息
中國科技信息
중국과기신식
CHINA SCIENCE AND TECHNOLOGY INFORMATION
2008年
13期
40-41
,共2页
TiN%电子结构%结合能
TiN%電子結構%結閤能
TiN%전자결구%결합능
本文基于密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA),应用VASP对TiN进行了第一性原理计算.在优化其晶格常数的基础上计算得到了TiN的能带结构和态密度图,同时也对TiN的结合能进行了计算,其结果与实验值及其它的计算结果基本一致.
本文基于密度汎函理論(DFT)和廣義梯度近似(GGA),應用VASP對TiN進行瞭第一性原理計算.在優化其晶格常數的基礎上計算得到瞭TiN的能帶結構和態密度圖,同時也對TiN的結閤能進行瞭計算,其結果與實驗值及其它的計算結果基本一緻.
본문기우밀도범함이론(DFT)화엄의제도근사(GGA),응용VASP대TiN진행료제일성원리계산.재우화기정격상수적기출상계산득도료TiN적능대결구화태밀도도,동시야대TiN적결합능진행료계산,기결과여실험치급기타적계산결과기본일치.
