强激光与粒子束
彊激光與粒子束
강격광여입자속
HIGH POWER LASER AND PARTICLEBEAMS
2008年
4期
671-674
,共4页
离子注入%GaAs%超晶格%晶格应变%拉曼光谱
離子註入%GaAs%超晶格%晶格應變%拉曼光譜
리자주입%GaAs%초정격%정격응변%랍만광보
对于10个周期的AlAs/GaAs超晶格和25个周期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格,在室温下进行0.28 MeV的Zn+注入,注入剂量为5×1013~5×1014 cm-2.通过拉曼光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明:在所选用的注入剂量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非驰豫应变值0.038,说明该注入条件下,注入区的结晶态仍然保持得比较好.在较高注入剂量下应变达到饱和,说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.
對于10箇週期的AlAs/GaAs超晶格和25箇週期的GaAs/Ga0.92In0.08As超晶格,在室溫下進行0.28 MeV的Zn+註入,註入劑量為5×1013~5×1014 cm-2.通過拉曼光譜測量,定量地分析瞭由于離子註入所引起的晶格內應變.實驗結果錶明:在所選用的註入劑量下,由于離子註入引起的應變小于體材料GaAs的最大非馳豫應變值0.038,說明該註入條件下,註入區的結晶態仍然保持得比較好.在較高註入劑量下應變達到飽和,說明缺陷的產生和複閤達到瞭平衡,從而形成瞭均衡的應變場分佈.
대우10개주기적AlAs/GaAs초정격화25개주기적GaAs/Ga0.92In0.08As초정격,재실온하진행0.28 MeV적Zn+주입,주입제량위5×1013~5×1014 cm-2.통과랍만광보측량,정량지분석료유우리자주입소인기적정격내응변.실험결과표명:재소선용적주입제량하,유우리자주입인기적응변소우체재료GaAs적최대비치예응변치0.038,설명해주입조건하,주입구적결정태잉연보지득비교호.재교고주입제량하응변체도포화,설명결함적산생화복합체도료평형,종이형성료균형적응변장분포.