液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2007年
6期
672-676
,共5页
陈媚媚%郑陶雷%王宗利%李俊杰%顾长志
陳媚媚%鄭陶雷%王宗利%李俊傑%顧長誌
진미미%정도뢰%왕종리%리준걸%고장지
场发射%二氧化锡纳米梭阵列%热蒸发
場髮射%二氧化錫納米梭陣列%熱蒸髮
장발사%이양화석납미사진렬%열증발
利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列,并研究其场致电子发射特性.研究结果表明,所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构,可以通过反应时间的不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列,从而实现可控生长.在研究场致电子发射方面,我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能,开启电场为1.4 V/μm,对应的发射电流密度为10 μA/cm2;当电场强度为7.4 V/μm时,发射电流密度高达2.48 mA/cm2.这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵列分布比较均匀造成的.测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段,我们认为这是由于在不同的电场下,发射电流由不同高度的梭形结构引起的,不同高度的梭形结构由于长径比不同因而具有不同的场增强因子,从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段.
利用熱蒸髮法在硅襯底上閤成瞭二氧化錫納米梭陣列,併研究其場緻電子髮射特性.研究結果錶明,所閤成的二氧化錫納米梭是一種新型的納米結構,可以通過反應時間的不同得到不同密度的二氧化錫納米梭陣列,從而實現可控生長.在研究場緻電子髮射方麵,我們髮現所閤成的二氧化錫納米梭陣列有優良的場髮射性能,開啟電場為1.4 V/μm,對應的髮射電流密度為10 μA/cm2;噹電場彊度為7.4 V/μm時,髮射電流密度高達2.48 mA/cm2.這是由于二氧化錫納米梭結構有很小的尖耑麯率半徑以及所測量樣品中二氧化錫納米梭陣列分佈比較均勻造成的.測量結果髮現在F-N麯線上呈現兩箇線性段,我們認為這是由于在不同的電場下,髮射電流由不同高度的梭形結構引起的,不同高度的梭形結構由于長徑比不同因而具有不同的場增彊因子,從而導緻在F-N麯線上錶現為兩箇線性段.
이용열증발법재규츤저상합성료이양화석납미사진렬,병연구기장치전자발사특성.연구결과표명,소합성적이양화석납미사시일충신형적납미결구,가이통과반응시간적불동득도불동밀도적이양화석납미사진렬,종이실현가공생장.재연구장치전자발사방면,아문발현소합성적이양화석납미사진렬유우량적장발사성능,개계전장위1.4 V/μm,대응적발사전류밀도위10 μA/cm2;당전장강도위7.4 V/μm시,발사전류밀도고체2.48 mA/cm2.저시유우이양화석납미사결구유흔소적첨단곡솔반경이급소측량양품중이양화석납미사진렬분포비교균균조성적.측량결과발현재F-N곡선상정현량개선성단,아문인위저시유우재불동적전장하,발사전류유불동고도적사형결구인기적,불동고도적사형결구유우장경비불동인이구유불동적장증강인자,종이도치재F-N곡선상표현위량개선성단.
