半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
285-288
,共4页
马全宝%朱丽萍%叶志镇%何海平%王敬蕊%胡少华%赵炳辉
馬全寶%硃麗萍%葉誌鎮%何海平%王敬蕊%鬍少華%趙炳輝
마전보%주려평%협지진%하해평%왕경예%호소화%조병휘
ZnO:Ga%透明导电氧化物薄膜%磁控溅射%光电特性
ZnO:Ga%透明導電氧化物薄膜%磁控濺射%光電特性
ZnO:Ga%투명도전양화물박막%자공천사%광전특성
通过直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了掺镓ZnO(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了溅射压强对ZnO:Ga透明导电薄膜结构、形貌和电光学性能的影响.X射线衍射结果表明,所制备的ZnO:Ga薄膜具有C轴择优取向的六角多晶结构.SEM测试表明,ZnO:Ga薄膜的形貌强烈依赖于沉积压强的变化.沉积的ZnO:Ga薄膜最低电阻率可达4.48×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透射率超过90%.
通過直流反應磁控濺射法在玻璃襯底上製備瞭摻鎵ZnO(ZnO:Ga)透明導電薄膜,研究瞭濺射壓彊對ZnO:Ga透明導電薄膜結構、形貌和電光學性能的影響.X射線衍射結果錶明,所製備的ZnO:Ga薄膜具有C軸擇優取嚮的六角多晶結構.SEM測試錶明,ZnO:Ga薄膜的形貌彊烈依賴于沉積壓彊的變化.沉積的ZnO:Ga薄膜最低電阻率可達4.48×10-4Ω·cm,在可見光範圍內平均透射率超過90%.
통과직류반응자공천사법재파리츤저상제비료참가ZnO(ZnO:Ga)투명도전박막,연구료천사압강대ZnO:Ga투명도전박막결구、형모화전광학성능적영향.X사선연사결과표명,소제비적ZnO:Ga박막구유C축택우취향적륙각다정결구.SEM측시표명,ZnO:Ga박막적형모강렬의뢰우침적압강적변화.침적적ZnO:Ga박막최저전조솔가체4.48×10-4Ω·cm,재가견광범위내평균투사솔초과90%.
