微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2007年
7期
37-39
,共3页
阮勇%叶双莉%张大成%任天令%刘理天
阮勇%葉雙莉%張大成%任天令%劉理天
원용%협쌍리%장대성%임천령%류리천
微电子机械系统%硅-玻璃阳极键合%硅深刻蚀%刻蚀损伤
微電子機械繫統%硅-玻璃暘極鍵閤%硅深刻蝕%刻蝕損傷
미전자궤계계통%규-파리양겁건합%규심각식%각식손상
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120:1～125:1,因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应,扫描电镜结果也证明,采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性.硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性.
提齣瞭提高硅深反應離子刻蝕的新方法.該方法在硅的側壁PECVD澱積SiO2,硅的底部採用熱氧化的方法形成SiO2.由于在刻蝕中硅與SiO2的刻蝕選擇比為120:1～125:1,因此SiO2層可以抑製在硅-玻璃結構的刻蝕中齣現的lag和footing效應,掃描電鏡結果也證明,採用改進工藝後的硅結構在經過長時間的過刻蝕後仍然保持瞭完整性.硅陀螺測試結果也證明瞭改進工藝的正確性.
제출료제고규심반응리자각식적신방법.해방법재규적측벽PECVD정적SiO2,규적저부채용열양화적방법형성SiO2.유우재각식중규여SiO2적각식선택비위120:1～125:1,인차SiO2층가이억제재규-파리결구적각식중출현적lag화footing효응,소묘전경결과야증명,채용개진공예후적규결구재경과장시간적과각식후잉연보지료완정성.규타라측시결과야증명료개진공예적정학성.
