微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2006年
4期
203-208
,共6页
模拟IC%MOSFET建模%BSIM3模型%EKV模型%反型系数%短沟道效应%中间反型区
模擬IC%MOSFET建模%BSIM3模型%EKV模型%反型繫數%短溝道效應%中間反型區
모의IC%MOSFET건모%BSIM3모형%EKV모형%반형계수%단구도효응%중간반형구
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点.结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势.
對MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模髮展歷程進行瞭迴顧,分析瞭在模擬集成電路低功耗設計中比較流行的模型(BSIM3和EKV模型),對它們進行瞭比較,分析其各自的優點和缺點.結果錶明穫得能夠精確地預測高性能模擬繫統的模型是很睏難的,而EKV模型在模擬集成電路的低功耗設計中具有一定的優勢.
대MOSFET기건특성、MOSFET건모방법화건모발전역정진행료회고,분석료재모의집성전로저공모설계중비교류행적모형(BSIM3화EKV모형),대타문진행료비교,분석기각자적우점화결점.결과표명획득능구정학지예측고성능모의계통적모형시흔곤난적,이EKV모형재모의집성전로적저공모설계중구유일정적우세.
