光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
3期
269-273
,共5页
李广波%龙文华%贾科淼%唐衍哲%吴亚明%杨建义%王跃林
李廣波%龍文華%賈科淼%唐衍哲%吳亞明%楊建義%王躍林
리엄파%룡문화%가과묘%당연철%오아명%양건의%왕약림
阵列波导光栅(AWG)%Si基SiO2%光波导%光波分复用%集成光学
陣列波導光柵(AWG)%Si基SiO2%光波導%光波分複用%集成光學
진렬파도광책(AWG)%Si기SiO2%광파도%광파분복용%집성광학
在Si基SiO2材料上设计并制作了中心波长为1.55 μm、通道间隔为0.8 nm的8×8阵列波导光栅(AWG).详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论.封装后的测试结果显示,器件的3 dB带宽为0.22 nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01 dB和6.32 dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24 dB和9.02 dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039 nm;器件的通道间串扰小于-25 dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3 dB.
在Si基SiO2材料上設計併製作瞭中心波長為1.55 μm、通道間隔為0.8 nm的8×8陣列波導光柵(AWG).詳細介紹瞭器件的設計、製作和測試,併對測試結果及工藝誤差進行瞭深入的分析討論.封裝後的測試結果顯示,器件的3 dB帶寬為0.22 nm;中央通道輸入時,最小和最大插入損耗分彆為4.01 dB和6.32 dB;邊緣通道輸入時,最小和最大插入損耗分彆為6.24 dB和9.02 dB;對比不同通道輸入時輸齣通道的中心波長,其偏移量低于0.039 nm;器件的通道間串擾小于-25 dB;偏振依賴損耗(PDL)小于0.3 dB.
재Si기SiO2재료상설계병제작료중심파장위1.55 μm、통도간격위0.8 nm적8×8진렬파도광책(AWG).상세개소료기건적설계、제작화측시,병대측시결과급공예오차진행료심입적분석토론.봉장후적측시결과현시,기건적3 dB대관위0.22 nm;중앙통도수입시,최소화최대삽입손모분별위4.01 dB화6.32 dB;변연통도수입시,최소화최대삽입손모분별위6.24 dB화9.02 dB;대비불동통도수입시수출통도적중심파장,기편이량저우0.039 nm;기건적통도간천우소우-25 dB;편진의뢰손모(PDL)소우0.3 dB.
