半导体结构中局域弹性应变场的电子背散射衍射分析
반도체결구중국역탄성응변장적전자배산사연사분석
EBSD analysis of local elastic strain fields in semiconductor structures
  • 万方数据
    电子显微学报 전자현미학보
    JOURNAL OF CHINESE ELECTRON MICROSCOPY SOCIETY
    2006年 2期 104-107 ,共4页

    罗俊锋%王俊忠%牛南辉%赵林林%张隐奇%郭霞%沈光地%吉元

    라준봉%왕준충%우남휘%조림림%장은기%곽하%침광지%길원

    电子背散射衍射(EBSD)%弹性应变分布%硅薄膜%GaN外延层 電子揹散射衍射(EBSD)%彈性應變分佈%硅薄膜%GaN外延層
    전자배산사연사(EBSD)%탄성응변분포%규박막%GaN외연층
    采用扫描电镜中的电子背散射衍射(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)技术,对硼掺杂的可动悬空硅薄膜和用于激光二极管(LED)的蓝宝石衬底上异质外延生长GaN层中的弹性应变区进行了测量.将菊池图的图像质量(IQ)和Hough转变强度,以及小角度晶界错配的统计数据作为应力敏感参数,研究了单晶材料系统中,微米～亚微米尺度的晶格畸变状态及局域弹性应变场.EBSD测试获得了硅薄膜窗口区域及LED的GaN外延层中的弹性应变分布.
    채용소묘전경중적전자배산사연사(Electron Backscattering Diffraction,EBSD)기술,대붕참잡적가동현공규박막화용우격광이겁관(LED)적람보석츤저상이질외연생장GaN층중적탄성응변구진행료측량.장국지도적도상질량(IQ)화Hough전변강도,이급소각도정계착배적통계수거작위응력민감삼수,연구료단정재료계통중,미미～아미미척도적정격기변상태급국역탄성응변장.EBSD측시획득료규박막창구구역급LED적GaN외연층중적탄성응변분포.
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