半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2005年
5期
418-420
,共3页
郑子尧%王柱%李春领%赵青楠
鄭子堯%王柱%李春領%趙青楠
정자요%왕주%리춘령%조청남
直流反应磁控溅射%低辐射膜%原子力显微镜
直流反應磁控濺射%低輻射膜%原子力顯微鏡
직류반응자공천사%저복사막%원자력현미경
用直流反应磁控溅射法在玻璃基片上,在不同氧分压条件下制备了一组TiO2低辐射薄膜样品.用原子力显微镜(AFM)观察了不同制备条件下得到的TiO2薄膜样品的表面形貌,并测量了它们的红外透过率,发现随着氧分压上升,薄膜晶粒长大,红外透射率降低.
用直流反應磁控濺射法在玻璃基片上,在不同氧分壓條件下製備瞭一組TiO2低輻射薄膜樣品.用原子力顯微鏡(AFM)觀察瞭不同製備條件下得到的TiO2薄膜樣品的錶麵形貌,併測量瞭它們的紅外透過率,髮現隨著氧分壓上升,薄膜晶粒長大,紅外透射率降低.
용직류반응자공천사법재파리기편상,재불동양분압조건하제비료일조TiO2저복사박막양품.용원자력현미경(AFM)관찰료불동제비조건하득도적TiO2박막양품적표면형모,병측량료타문적홍외투과솔,발현수착양분압상승,박막정립장대,홍외투사솔강저.
