CAJ | 학술논문

用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于恒电流电沉积法制备的SnS薄膜来说,该薄膜颗粒更细,粒径在(60～100) nm,并且它的均匀性和对基片的附着力也更好.通过测量薄膜样品的反射和透射光谱,得到其直接禁带宽度Eg=1.34 eV,在基本吸收边附近的吸收系数大于2×104 cm-1.该薄膜的导电类型为p型,电阻率的数量级为10-2 Ω·cm.因此,用热蒸发技术制备出的SnS薄膜的质量和性能都比较理想,该薄膜非常适合做太阳能电池的吸收层.
용열증발기술재ITO파리기편상침적SnS박막.통과대해박막진행결구、성분화표면형모분석,표명타시구유정교결구적SnS다정박막;상대우항전류전침적법제비적SnS박막래설,해박막과립경세,립경재(60～100) nm,병차타적균균성화대기편적부착력야경호.통과측량박막양품적반사화투사광보,득도기직접금대관도Eg=1.34 eV,재기본흡수변부근적흡수계수대우2×104 cm-1.해박막적도전류형위p형,전조솔적수량급위10-2 Ω·cm.인차,용열증발기술제비출적SnS박막적질량화성능도비교이상,해박막비상괄합주태양능전지적흡수층.