物理学报
物理學報
물이학보
2003年
3期
736-739
,共4页
陈长勇%陈维德%王永谦%宋淑芳%许振嘉
陳長勇%陳維德%王永謙%宋淑芳%許振嘉
진장용%진유덕%왕영겸%송숙방%허진가
Er3+%nc-Si%H处理
Er3+%nc-Si%H處理
Er3+%nc-Si%H처리
对nc-Si/SiO2<Er>薄膜中纳米硅(nc-Si)、Er3+和非辐射复合缺陷三者间的关系作了研究.在514.5 nm光激发下,nc-Si/SiO2<Er>薄膜在750nm和1.54μm处存在较强的发光,前者与薄膜中的nc-Si有关,后者对应于Er3+从第一激发态4I13/2到基态4I15/2的辐射跃迁.随薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm处的发光强度明显增强,750 nm处的发光强度却降低.H处理可以明显增强薄膜的发光强度,但是对不同退火温度样品,处理效果却有所不同.根据以上实验结果,可得如下结论:在nc-Si颗粒附近的Er3+和其他的缺陷组成了nc-Si颗粒内产生的束缚激子的非辐射复合中心,束缚激子通过Er3+的非辐射复合,激发Er3+产生1.54μm处的发光,同时降低了750nm处的发光强度.nc-Si颗粒附近其他非辐射复合中心的存在会降低Er3+被激发的概率,引起1.54μm处的发光强度降低.
對nc-Si/SiO2<Er>薄膜中納米硅(nc-Si)、Er3+和非輻射複閤缺陷三者間的關繫作瞭研究.在514.5 nm光激髮下,nc-Si/SiO2<Er>薄膜在750nm和1.54μm處存在較彊的髮光,前者與薄膜中的nc-Si有關,後者對應于Er3+從第一激髮態4I13/2到基態4I15/2的輻射躍遷.隨薄膜中Er3+含量的提高,1.54μm處的髮光彊度明顯增彊,750 nm處的髮光彊度卻降低.H處理可以明顯增彊薄膜的髮光彊度,但是對不同退火溫度樣品,處理效果卻有所不同.根據以上實驗結果,可得如下結論:在nc-Si顆粒附近的Er3+和其他的缺陷組成瞭nc-Si顆粒內產生的束縳激子的非輻射複閤中心,束縳激子通過Er3+的非輻射複閤,激髮Er3+產生1.54μm處的髮光,同時降低瞭750nm處的髮光彊度.nc-Si顆粒附近其他非輻射複閤中心的存在會降低Er3+被激髮的概率,引起1.54μm處的髮光彊度降低.
대nc-Si/SiO2<Er>박막중납미규(nc-Si)、Er3+화비복사복합결함삼자간적관계작료연구.재514.5 nm광격발하,nc-Si/SiO2<Er>박막재750nm화1.54μm처존재교강적발광,전자여박막중적nc-Si유관,후자대응우Er3+종제일격발태4I13/2도기태4I15/2적복사약천.수박막중Er3+함량적제고,1.54μm처적발광강도명현증강,750 nm처적발광강도각강저.H처리가이명현증강박막적발광강도,단시대불동퇴화온도양품,처리효과각유소불동.근거이상실험결과,가득여하결론:재nc-Si과립부근적Er3+화기타적결함조성료nc-Si과립내산생적속박격자적비복사복합중심,속박격자통과Er3+적비복사복합,격발Er3+산생1.54μm처적발광,동시강저료750nm처적발광강도.nc-Si과립부근기타비복사복합중심적존재회강저Er3+피격발적개솔,인기1.54μm처적발광강도강저.
