Au/CdTe+ZnS/HgCdTe双层介质膜MIS器件的制备及研究
Au/CdTe+ZnS/HgCdTe쌍층개질막MIS기건적제비급연구
FABRICATION AND STUDY ON THE HgCdTe MIS DEVICE OF CdTe+ZnS DOUBLE INSULATOR FILMS
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2001年 4期 249-252 ,共4页

    周咏东%汤定元%方家熊%李言谨%龚海梅%吴小山%靳秀芳

    주영동%탕정원%방가웅%리언근%공해매%오소산%근수방

    CdTe薄膜%HgCdTe红外焦平面%器件表面钝化%ZnS CdTe薄膜%HgCdTe紅外焦平麵%器件錶麵鈍化%ZnS
    CdTe박막%HgCdTe홍외초평면%기건표면둔화%ZnS
    通过介质膜ZnS、CdTe薄膜材料的Ar+束溅射沉积研究,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以ZnS、CdTe双层介质膜为绝缘层的HgCdTe MIS器件;通过对器件的C-V特性实验分析,获得了CdTe/HgCdTe界面电学特性参数.实验表明: 溅射沉积介质膜CdTe+ZnS对HgCdTe的表面钝化已经可以满足HgCdTe红外焦平面器件表面钝化的各项要求.
    통과개질막ZnS、CdTe박막재료적Ar+속천사침적연구,결합HgCdTe기건공예,성공제비료이ZnS、CdTe쌍층개질막위절연층적HgCdTe MIS기건;통과대기건적C-V특성실험분석,획득료CdTe/HgCdTe계면전학특성삼수.실험표명: 천사침적개질막CdTe+ZnS대HgCdTe적표면둔화이경가이만족HgCdTe홍외초평면기건표면둔화적각항요구.
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