光谱学与光谱分析
光譜學與光譜分析
광보학여광보분석
SPECTROSCOPY AND SPECTRAL ANALYSIS
2001年
4期
498-500
,共3页
谭红琳%张鹏翔%刘翔%吴长树
譚紅琳%張鵬翔%劉翔%吳長樹
담홍림%장붕상%류상%오장수
拉曼光谱%荧光光谱%半高宽%异质结
拉曼光譜%熒光光譜%半高寬%異質結
랍만광보%형광광보%반고관%이질결
本文研究了用热壁外延(HWE)技术在Si衬底上、不同工艺条件生长的GaAs薄膜的拉曼(Raman)和光荧光(PL)光谱.研究表明:在室温下,GaAs晶膜的拉曼光谱的265 cm-1横声子(TO)峰和290 cr-1纵声子(LO)峰的峰值和面积之比随晶膜质量的变好而逐渐变大、FWHM变窄且峰值频移变小,而PL光谱出现在900 nm光谱的FWHM较窄,这表明所测得的薄膜为单晶晶膜.在另外一些工艺条件下生长的GaAs薄膜拉曼光谱峰形好,但测不出PL光谱,所生的膜不是单晶.同时对同一晶膜也可判断出其均匀程度.因此我们可以通过拉曼光谱和荧光光谱相结合评定外延膜晶体质量.
本文研究瞭用熱壁外延(HWE)技術在Si襯底上、不同工藝條件生長的GaAs薄膜的拉曼(Raman)和光熒光(PL)光譜.研究錶明:在室溫下,GaAs晶膜的拉曼光譜的265 cm-1橫聲子(TO)峰和290 cr-1縱聲子(LO)峰的峰值和麵積之比隨晶膜質量的變好而逐漸變大、FWHM變窄且峰值頻移變小,而PL光譜齣現在900 nm光譜的FWHM較窄,這錶明所測得的薄膜為單晶晶膜.在另外一些工藝條件下生長的GaAs薄膜拉曼光譜峰形好,但測不齣PL光譜,所生的膜不是單晶.同時對同一晶膜也可判斷齣其均勻程度.因此我們可以通過拉曼光譜和熒光光譜相結閤評定外延膜晶體質量.
본문연구료용열벽외연(HWE)기술재Si츤저상、불동공예조건생장적GaAs박막적랍만(Raman)화광형광(PL)광보.연구표명:재실온하,GaAs정막적랍만광보적265 cm-1횡성자(TO)봉화290 cr-1종성자(LO)봉적봉치화면적지비수정막질량적변호이축점변대、FWHM변착차봉치빈이변소,이PL광보출현재900 nm광보적FWHM교착,저표명소측득적박막위단정정막.재령외일사공예조건하생장적GaAs박막랍만광보봉형호,단측불출PL광보,소생적막불시단정.동시대동일정막야가판단출기균균정도.인차아문가이통과랍만광보화형광광보상결합평정외연막정체질량.
