GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制
GaN횡향외연중정면경사적형성궤제
  • 万方数据
    中国科学A辑 중국과학A집
    SCIENCE IN CHINA (SERIES A)
    2002年 8期 737-742 ,共6页

    冯淦%郑新和%朱建军%沈晓明%张宝顺%赵德刚%孙元平%张泽洪%王玉田%杨辉%梁骏吾

    풍감%정신화%주건군%침효명%장보순%조덕강%손원평%장택홍%왕옥전%양휘%량준오

    GaN%横向外延生长%晶面倾斜%双晶X射线衍射 GaN%橫嚮外延生長%晶麵傾斜%雙晶X射線衍射
    GaN%횡향외연생장%정면경사%쌍정X사선연사
    采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因. 发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲. 采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层, 发现XRD中GaN(0002)ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息. 该衍射信息起初为一个很宽的峰, 随着选择性腐蚀的进行, 会先分裂为两个峰, 最后当SiNx掩模层全部腐蚀掉后, 其中一个衍射峰会消失, 而只剩下一个很窄的峰. 作者证实造成横向外延GaN 中晶面倾斜的原因有两个: 一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变; 另一个是由于GaN中穿透位错的90o转向造成的塑性形变.
    채용쌍정X사선연사(DC-XRD)연구람보석(0001)츤저상횡향외연GaN층중정면경사적형성원인. 발현횡향생장구적GaN재수직엄모방향상조SiNx엄모층만곡. 채용선택성부식축점거도SiNx엄모층, 발현XRD중GaN(0002)ω소묘연사봉량측존재여정면경사유관적연사신식. 해연사신식기초위일개흔관적봉, 수착선택성부식적진행, 회선분렬위량개봉, 최후당SiNx엄모층전부부식도후, 기중일개연사봉회소실, 이지잉하일개흔착적봉. 작자증실조성횡향외연GaN 중정면경사적원인유량개: 일시유우GaN여엄모층지간계면응력조성적탄성비균균응변; 령일개시유우GaN중천투위착적90o전향조성적소성형변.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문