固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
4期
487-491
,共5页
蒋聚小%郑国祥%黄榕旭%宗祥福
蔣聚小%鄭國祥%黃榕旭%宗祥福
장취소%정국상%황용욱%종상복
应力%空洞%退火%浸润层
應力%空洞%退火%浸潤層
응력%공동%퇴화%침윤층
在VLSI的金属化中,应力引起的失效是个引人关注的问题,应力释放形成空洞严重影响器件的可靠性.VLSI工艺实践中,发现Ti/TiN/Ti/Al/TiN的金属化结构经过热退火后,铝条上出现空洞.对于铝空洞形成机理进行了研究与分析,发现张应力的释放是空洞的成因;而在热退火时,作为浸润层的Ti与Al反应生成TiAl3,引入的应力是形成空洞的主导因素.
在VLSI的金屬化中,應力引起的失效是箇引人關註的問題,應力釋放形成空洞嚴重影響器件的可靠性.VLSI工藝實踐中,髮現Ti/TiN/Ti/Al/TiN的金屬化結構經過熱退火後,鋁條上齣現空洞.對于鋁空洞形成機理進行瞭研究與分析,髮現張應力的釋放是空洞的成因;而在熱退火時,作為浸潤層的Ti與Al反應生成TiAl3,引入的應力是形成空洞的主導因素.
재VLSI적금속화중,응력인기적실효시개인인관주적문제,응력석방형성공동엄중영향기건적가고성.VLSI공예실천중,발현Ti/TiN/Ti/Al/TiN적금속화결구경과열퇴화후,려조상출현공동.대우려공동형성궤리진행료연구여분석,발현장응력적석방시공동적성인;이재열퇴화시,작위침윤층적Ti여Al반응생성TiAl3,인입적응력시형성공동적주도인소.
