固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
3期
355-360
,共6页
非掺杂液封直拉砷化镓%热处理%砷间隙扩散%本征缺陷
非摻雜液封直拉砷化鎵%熱處理%砷間隙擴散%本徵缺陷
비참잡액봉직랍신화가%열처리%신간극확산%본정결함
在950°C和1 120 °C温度下,对非掺杂半绝缘LEC GaAs进行了不同As气压条件下的热处理,热处理的时间为2～14小时.发现不同As压条件下的热处理可以改变GaAs晶片的化学配比,并导致本征缺陷和电参数的相应变化.在950°C和低As气压条件下进行14小时热处理,可在样品体内(表面150 μm以下)引入一种本征受主缺陷,使电阻率较热处理前增加约50%,霍尔迁移率下降70%.这种本征受主缺陷的产生是由于热处理过程中样品内发生了As间隙原子的外扩散.提高热处理过程中的As气压可以抑制这种本征受主缺陷的产生.真空条件下在1 120°C热处理2～8小时并快速冷却后,样品中的主要施主缺陷EL2浓度约下降一个数量级,提高热处理过程中的As气压可以抑制EL2浓度下降.这种抑制作用是由于在高温、高As气压条件下,发生了间隙原子向样品内部的扩散.
在950°C和1 120 °C溫度下,對非摻雜半絕緣LEC GaAs進行瞭不同As氣壓條件下的熱處理,熱處理的時間為2～14小時.髮現不同As壓條件下的熱處理可以改變GaAs晶片的化學配比,併導緻本徵缺陷和電參數的相應變化.在950°C和低As氣壓條件下進行14小時熱處理,可在樣品體內(錶麵150 μm以下)引入一種本徵受主缺陷,使電阻率較熱處理前增加約50%,霍爾遷移率下降70%.這種本徵受主缺陷的產生是由于熱處理過程中樣品內髮生瞭As間隙原子的外擴散.提高熱處理過程中的As氣壓可以抑製這種本徵受主缺陷的產生.真空條件下在1 120°C熱處理2～8小時併快速冷卻後,樣品中的主要施主缺陷EL2濃度約下降一箇數量級,提高熱處理過程中的As氣壓可以抑製EL2濃度下降.這種抑製作用是由于在高溫、高As氣壓條件下,髮生瞭間隙原子嚮樣品內部的擴散.
재950°C화1 120 °C온도하,대비참잡반절연LEC GaAs진행료불동As기압조건하적열처리,열처리적시간위2～14소시.발현불동As압조건하적열처리가이개변GaAs정편적화학배비,병도치본정결함화전삼수적상응변화.재950°C화저As기압조건하진행14소시열처리,가재양품체내(표면150 μm이하)인입일충본정수주결함,사전조솔교열처리전증가약50%,곽이천이솔하강70%.저충본정수주결함적산생시유우열처리과정중양품내발생료As간극원자적외확산.제고열처리과정중적As기압가이억제저충본정수주결함적산생.진공조건하재1 120°C열처리2～8소시병쾌속냉각후,양품중적주요시주결함EL2농도약하강일개수량급,제고열처리과정중적As기압가이억제EL2농도하강.저충억제작용시유우재고온、고As기압조건하,발생료간극원자향양품내부적확산.
