河北工业大学学报
河北工業大學學報
하북공업대학학보
JOURNAL OF HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY
2002年
1期
84-87
,共4页
稀释涂布法%氧化亚铁硫杆菌%分离%氧化活性
稀釋塗佈法%氧化亞鐵硫桿菌%分離%氧化活性
희석도포법%양화아철류간균%분리%양화활성
用稀释涂布平板法从已退化的氧化亚铁硫杆菌菌液中分离出氧化活性较高、生命力强的氧化亚铁硫杆菌T1,对其菌落、细胞形态和生长特性进行了初步研究,结果表明其最适生长条件为培养温度30 ℃,pH=2.0,分离出的T1菌株氧化活性是分离前菌株氧化活性的1.2倍.
用稀釋塗佈平闆法從已退化的氧化亞鐵硫桿菌菌液中分離齣氧化活性較高、生命力彊的氧化亞鐵硫桿菌T1,對其菌落、細胞形態和生長特性進行瞭初步研究,結果錶明其最適生長條件為培養溫度30 ℃,pH=2.0,分離齣的T1菌株氧化活性是分離前菌株氧化活性的1.2倍.
용희석도포평판법종이퇴화적양화아철류간균균액중분리출양화활성교고、생명력강적양화아철류간균T1,대기균락、세포형태화생장특성진행료초보연구,결과표명기최괄생장조건위배양온도30 ℃,pH=2.0,분리출적T1균주양화활성시분리전균주양화활성적1.2배.
