CAJ | 학술논문

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)对磁存储器(MRAM)驱动电路与存储单元--磁性隧道结(MTJ)的连接界面的表面平坦化进行了研究.原子力显微镜照片表明:磁控溅射沉积的金属铝膜的表面由尺寸约为300nm的颗粒组成,其表面粗糙度约为几十纳米的量级,用统计平均值(均方根值root mean square,RMS)描述约为10nm;在铝膜的表面沉积一层难溶金属Ti或Ta膜以后,可很好地改善过渡层金属表面的平坦化效果.通过用化学机械平坦化设备(chemical mechanical planarization,CMP)在小压力和低转速的条件下,可使过渡层金属表面的RMS值达到小于1nm的平坦化效果.扫描电镜照片的结果也显示:利用光刻胶平坦化,然后通过调节反应离子刻蚀的条件,使刻蚀的过程中对氧化硅和光刻胶的刻蚀速率相等,去掉光刻胶,达到平坦化整个芯片表面的效果.
이용원자력현미경(AFM)화소묘전경(SEM)대자존저기(MRAM)구동전로여존저단원--자성수도결(MTJ)적련접계면적표면평탄화진행료연구.원자력현미경조편표명:자공천사침적적금속려막적표면유척촌약위300nm적과립조성,기표면조조도약위궤십납미적량급,용통계평균치(균방근치root mean square,RMS)묘술약위10nm;재려막적표면침적일층난용금속Ti혹Ta막이후,가흔호지개선과도층금속표면적평탄화효과.통과용화학궤계평탄화설비(chemical mechanical planarization,CMP)재소압력화저전속적조건하,가사과도층금속표면적RMS치체도소우1nm적평탄화효과.소묘전경조편적결과야현시:이용광각효평탄화,연후통과조절반응리자각식적조건,사각식적과정중대양화규화광각효적각식속솔상등,거도광각효,체도평탄화정개심편표면적효과.