半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
3期
544-548
,共5页
张春玲%唐蕾%徐波%陈涌海%王占国
張春玲%唐蕾%徐波%陳湧海%王佔國
장춘령%당뢰%서파%진용해%왕점국
分子束外延%量子线%表面结构
分子束外延%量子線%錶麵結構
분자속외연%양자선%표면결구
利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.
利用超晶格解理麵方法製備定位生長的InAs量子線.首先以分子束外延技術在OaAs襯底上生長GaAs/AlGaAs超晶格,然後將樣品取齣外延繫統進行解理,對解理麵進行預處理之後在(110)解理麵上進行二次外延.實驗結果顯示超晶格解理麵的預處理方法對二次外延有重大影響,其中擇優腐蝕比自然氧化更有利于量子線的定位生長,過高溫度的脫氧除氣會導緻解理麵的GaAs部分齣現坑狀結構,錶明(110)麵上的Ga原子容易脫附.同時,Ga原子在(110)麵上的遷移長度比較大,原子的擇優擴散方嚮為[001]方嚮.
이용초정격해리면방법제비정위생장적InAs양자선.수선이분자속외연기술재OaAs츤저상생장GaAs/AlGaAs초정격,연후장양품취출외연계통진행해리,대해리면진행예처리지후재(110)해리면상진행이차외연.실험결과현시초정격해리면적예처리방법대이차외연유중대영향,기중택우부식비자연양화경유리우양자선적정위생장,과고온도적탈양제기회도치해리면적GaAs부분출현갱상결구,표명(110)면상적Ga원자용역탈부.동시,Ga원자재(110)면상적천이장도비교대,원자적택우확산방향위[001]방향.
