浙江医学
浙江醫學
절강의학
ZHEJIANG MEDICAL JOURNAL
2008年
3期
229-231
,共3页
As2O3%ATM/ATR基因%细胞周期变化%细胞凋亡
As2O3%ATM/ATR基因%細胞週期變化%細胞凋亡
As2O3%ATM/ATR기인%세포주기변화%세포조망
目的 探讨不同浓度As2O3对K562细胞ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)基因表达的影响及相应的细胞周期变化和细胞凋亡机制.方法 以不同剂量的As2O3作用于K562细胞株,RT-PCR半定量检测ATM/ATR基因表达,流式细胞术检测P53、Annexin V和细胞周期.结果 随药物浓度升高,ATM基因表达量增强而ATR基因表达量降低,P53水平升高,细胞凋亡显著,亚二倍体和G1期细胞数增多,S期和G2/M期细胞减少.不加入药物的K562细胞ATM和ATR几乎不表达.结论 ATM和ATR基因表达变化呈As203浓度依赖的形式,且与P53水平、细胞周期和细胞凋亡率的改变相关.
目的 探討不同濃度As2O3對K562細胞ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)基因錶達的影響及相應的細胞週期變化和細胞凋亡機製.方法 以不同劑量的As2O3作用于K562細胞株,RT-PCR半定量檢測ATM/ATR基因錶達,流式細胞術檢測P53、Annexin V和細胞週期.結果 隨藥物濃度升高,ATM基因錶達量增彊而ATR基因錶達量降低,P53水平升高,細胞凋亡顯著,亞二倍體和G1期細胞數增多,S期和G2/M期細胞減少.不加入藥物的K562細胞ATM和ATR幾乎不錶達.結論 ATM和ATR基因錶達變化呈As203濃度依賴的形式,且與P53水平、細胞週期和細胞凋亡率的改變相關.
목적 탐토불동농도As2O3대K562세포ATM(Ataxia Telangiectasia Mutated)/ATR(ATM-Rad3-Related)기인표체적영향급상응적세포주기변화화세포조망궤제.방법 이불동제량적As2O3작용우K562세포주,RT-PCR반정량검측ATM/ATR기인표체,류식세포술검측P53、Annexin V화세포주기.결과 수약물농도승고,ATM기인표체량증강이ATR기인표체량강저,P53수평승고,세포조망현저,아이배체화G1기세포수증다,S기화G2/M기세포감소.불가입약물적K562세포ATM화ATR궤호불표체.결론 ATM화ATR기인표체변화정As203농도의뢰적형식,차여P53수평、세포주기화세포조망솔적개변상관.
