半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
9期
894-898
,共5页
毕向东%谢鑫鹏%胡俊%李国元
畢嚮東%謝鑫鵬%鬍俊%李國元
필향동%사흠붕%호준%리국원
铝丝键合%实验设计%BP神经网络%工艺优化%微电子封装
鋁絲鍵閤%實驗設計%BP神經網絡%工藝優化%微電子封裝
려사건합%실험설계%BP신경망락%공예우화%미전자봉장
Al丝超声引线键合工艺被广泛地应用在大功率器件封装中,以实现大功率芯片与引 线框架之间的电互连.Al丝引线键合的质量严重影响功率器件的整体封装水平,对其工艺参数的优化具有重要工业应用意义.利用正交实验设计方法,对Al丝引线键合工艺中的三个最重要影响因数(超声功率P/DAC、键合时间t/ms、键合压力F/g)进行了正交实验设计,实验表明拉力优化后的工艺参数为:键合时间为40 ms,超声功率为25 DAC,键合压力为120g;剪切推力优化的工艺参数为:键合时间为50 ms,超声功率为40 DAC,键合压力为120 g.基于BP神经网络系统,建立了铝丝超声引线键合工艺的预测模型,揭示了Al丝超声键合工艺参数与键合质量之间的内在联系.网络训练结果表明训练预测值与实验值之间符合很好,检验样本的结果也符合较好,其误差基本控制在10%以内.
Al絲超聲引線鍵閤工藝被廣汎地應用在大功率器件封裝中,以實現大功率芯片與引 線框架之間的電互連.Al絲引線鍵閤的質量嚴重影響功率器件的整體封裝水平,對其工藝參數的優化具有重要工業應用意義.利用正交實驗設計方法,對Al絲引線鍵閤工藝中的三箇最重要影響因數(超聲功率P/DAC、鍵閤時間t/ms、鍵閤壓力F/g)進行瞭正交實驗設計,實驗錶明拉力優化後的工藝參數為:鍵閤時間為40 ms,超聲功率為25 DAC,鍵閤壓力為120g;剪切推力優化的工藝參數為:鍵閤時間為50 ms,超聲功率為40 DAC,鍵閤壓力為120 g.基于BP神經網絡繫統,建立瞭鋁絲超聲引線鍵閤工藝的預測模型,揭示瞭Al絲超聲鍵閤工藝參數與鍵閤質量之間的內在聯繫.網絡訓練結果錶明訓練預測值與實驗值之間符閤很好,檢驗樣本的結果也符閤較好,其誤差基本控製在10%以內.
Al사초성인선건합공예피엄범지응용재대공솔기건봉장중,이실현대공솔심편여인 선광가지간적전호련.Al사인선건합적질량엄중영향공솔기건적정체봉장수평,대기공예삼수적우화구유중요공업응용의의.이용정교실험설계방법,대Al사인선건합공예중적삼개최중요영향인수(초성공솔P/DAC、건합시간t/ms、건합압력F/g)진행료정교실험설계,실험표명랍력우화후적공예삼수위:건합시간위40 ms,초성공솔위25 DAC,건합압력위120g;전절추력우화적공예삼수위:건합시간위50 ms,초성공솔위40 DAC,건합압력위120 g.기우BP신경망락계통,건립료려사초성인선건합공예적예측모형,게시료Al사초성건합공예삼수여건합질량지간적내재련계.망락훈련결과표명훈련예측치여실험치지간부합흔호,검험양본적결과야부합교호,기오차기본공제재10%이내.
