表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2011年
2期
83-85
,共3页
曹健%王宙%室谷贵之(日)%付传起
曹健%王宙%室穀貴之(日)%付傳起
조건%왕주%실곡귀지(일)%부전기
真空蒸镀%退火%多晶硅薄膜
真空蒸鍍%退火%多晶硅薄膜
진공증도%퇴화%다정규박막
采用真空蒸镀并退火的方法制备多晶硅薄膜,采用透射电子显微镜对退火前后的样品进行了表征,通过原子力显微镜观察了薄膜的形貌,并测试了薄膜的耐压性能,分析了基板温度、基板距离和退火工艺对薄膜组织和性能的影响.实验结果表明:真空蒸镀所得薄膜为非晶硅薄膜,退火处理可使其多晶化,晶粒尺寸达0.5μm;基板温度120℃、基板距离60 mm为最佳工艺条件,采用该工艺所得多晶硅薄膜的耐压值可达384.2 V.
採用真空蒸鍍併退火的方法製備多晶硅薄膜,採用透射電子顯微鏡對退火前後的樣品進行瞭錶徵,通過原子力顯微鏡觀察瞭薄膜的形貌,併測試瞭薄膜的耐壓性能,分析瞭基闆溫度、基闆距離和退火工藝對薄膜組織和性能的影響.實驗結果錶明:真空蒸鍍所得薄膜為非晶硅薄膜,退火處理可使其多晶化,晶粒呎吋達0.5μm;基闆溫度120℃、基闆距離60 mm為最佳工藝條件,採用該工藝所得多晶硅薄膜的耐壓值可達384.2 V.
채용진공증도병퇴화적방법제비다정규박막,채용투사전자현미경대퇴화전후적양품진행료표정,통과원자력현미경관찰료박막적형모,병측시료박막적내압성능,분석료기판온도、기판거리화퇴화공예대박막조직화성능적영향.실험결과표명:진공증도소득박막위비정규박막,퇴화처리가사기다정화,정립척촌체0.5μm;기판온도120℃、기판거리60 mm위최가공예조건,채용해공예소득다정규박막적내압치가체384.2 V.
