CAJ | 학술논문

采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构.研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响.实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度.当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall迁移率达34.2 cm2/Ⅴ·s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85％.此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结构形成过程模型.
채용직류맥충자공천사방법,재실온하생장경화Ga참잡ZnO박막(GZO/H),병통과습법후부식기술획득융면결구.연구료실온하H2류량대박막결구、광전성능급표면형모적영향.실험표명,경화GZO(GZO/H)박막구유량호적(002)정면택우취향생장,인입괄당류량적H2가이유효제고박막적전학특성,GZO/H박막구유경저적전조솔이급교고적천이솔화재류자농도.당통입H2류량위6 sccm시,박막전조솔위6.8 ×10-4 Ω·cm,Hall천이솔체34.2 cm2/Ⅴ·s,제비적GZO/H박막가견광구역평균투과솔우우85％.차외,연구료H2류량대습법부식후융면GZO/H박막표면형모적영향,제출료일충박막융면결구형성과정모형.