红外与激光工程
紅外與激光工程
홍외여격광공정
INFRARED AND LASER ENGINEERING
2012年
3期
713-717
,共5页
叶晓雯%丁涛%程鑫彬%沈正祥%王孝东%刘永利%鲍刚华%何文彦
葉曉雯%丁濤%程鑫彬%瀋正祥%王孝東%劉永利%鮑剛華%何文彥
협효문%정도%정흠빈%침정상%왕효동%류영리%포강화%하문언
SiO2单层膜%沉积温度%残余应力%由水诱发的应力%折射率%表面形貌
SiO2單層膜%沉積溫度%殘餘應力%由水誘髮的應力%摺射率%錶麵形貌
SiO2단층막%침적온도%잔여응력%유수유발적응력%절사솔%표면형모
采用电子束蒸发方法在BK7基底上制备SiO2单层膜,通过台式探针轮廓仪分别测量了大气(45％RH)和干燥环境(5％RH)中不同沉积温度下制备的SiO2单层膜残余应力,同时使用分光光度计和原子力显微镜对样品的折射率和表面形貌进行研究.测试结果表明:SiO2薄膜的残余应力在两个环境中均表现为压应力,且随沉积温度的升高均逐渐增大.干燥环境下与大气环境相比,应力值减小了约100MPa.此外,随沉积温度的升高,薄膜折射率不断增大,表面粗糙度逐渐减小.说明:随着沉积温度的变化,SiO2薄膜的微结构发生了改变.相应地,由水诱发的应力随薄膜致密度的增加而逐渐减小.
採用電子束蒸髮方法在BK7基底上製備SiO2單層膜,通過檯式探針輪廓儀分彆測量瞭大氣(45％RH)和榦燥環境(5％RH)中不同沉積溫度下製備的SiO2單層膜殘餘應力,同時使用分光光度計和原子力顯微鏡對樣品的摺射率和錶麵形貌進行研究.測試結果錶明:SiO2薄膜的殘餘應力在兩箇環境中均錶現為壓應力,且隨沉積溫度的升高均逐漸增大.榦燥環境下與大氣環境相比,應力值減小瞭約100MPa.此外,隨沉積溫度的升高,薄膜摺射率不斷增大,錶麵粗糙度逐漸減小.說明:隨著沉積溫度的變化,SiO2薄膜的微結構髮生瞭改變.相應地,由水誘髮的應力隨薄膜緻密度的增加而逐漸減小.
채용전자속증발방법재BK7기저상제비SiO2단층막,통과태식탐침륜곽의분별측량료대기(45％RH)화간조배경(5％RH)중불동침적온도하제비적SiO2단층막잔여응력,동시사용분광광도계화원자력현미경대양품적절사솔화표면형모진행연구.측시결과표명:SiO2박막적잔여응력재량개배경중균표현위압응력,차수침적온도적승고균축점증대.간조배경하여대기배경상비,응력치감소료약100MPa.차외,수침적온도적승고,박막절사솔불단증대,표면조조도축점감소.설명:수착침적온도적변화,SiO2박막적미결구발생료개변.상응지,유수유발적응력수박막치밀도적증가이축점감소.
