半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
400-402
,共3页
钟旻%张楷亮%宋志棠%封松林
鐘旻%張楷亮%宋誌棠%封鬆林
종민%장해량%송지당%봉송림
化学机械抛光%胶体SiO2%抛光速率%抛光液
化學機械拋光%膠體SiO2%拋光速率%拋光液
화학궤계포광%효체SiO2%포광속솔%포광액
针对硅衬底的化学机械抛光,采用自制的大粒径硅溶胶抛光液进行抛光实验,研究了抛光液中主要组分对抛光速率和表面平整度的影响,以提高抛光速率和抛光质量,采用测厚仪、AFM、台阶仪对抛光速率和表面进行了测试和表征.通过优化实验获得了高速率、高平整的抛光表面.去除速率(MRR)达697nm/min,表面粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高抛光速率的同时对硅片实现了超精密抛光.
針對硅襯底的化學機械拋光,採用自製的大粒徑硅溶膠拋光液進行拋光實驗,研究瞭拋光液中主要組分對拋光速率和錶麵平整度的影響,以提高拋光速率和拋光質量,採用測厚儀、AFM、檯階儀對拋光速率和錶麵進行瞭測試和錶徵.通過優化實驗穫得瞭高速率、高平整的拋光錶麵.去除速率(MRR)達697nm/min,錶麵粗糙度(RMS)降低至0.4516nm,在提高拋光速率的同時對硅片實現瞭超精密拋光.
침대규츤저적화학궤계포광,채용자제적대립경규용효포광액진행포광실험,연구료포광액중주요조분대포광속솔화표면평정도적영향,이제고포광속솔화포광질량,채용측후의、AFM、태계의대포광속솔화표면진행료측시화표정.통과우화실험획득료고속솔、고평정적포광표면.거제속솔(MRR)체697nm/min,표면조조도(RMS)강저지0.4516nm,재제고포광속솔적동시대규편실현료초정밀포광.
