物理学报
物理學報
물이학보
2007年
4期
2342-2346
,共5页
叶凡%蔡兴民%王晓明%赵建果%谢二庆
葉凡%蔡興民%王曉明%趙建果%謝二慶
협범%채흥민%왕효명%조건과%사이경
InN纳米线%场电子发射%非线性Fower-Nordheim曲线
InN納米線%場電子髮射%非線性Fower-Nordheim麯線
InN납미선%장전자발사%비선성Fower-Nordheim곡선
利用低压化学气相沉积方法在以Au作催化剂的Si衬底上生长了InN纳米线.扫描电子显微镜分析表明,这些纳米线的直径在60-100 nm的范围内,而其长度大于1 μm.高分辨透射电子显微镜图像表明,合成的纳米线中含有六方相和立方相的InN晶体.这些InN纳米线具有良好的场发射特性和稳定的场发射电流,其开启场为10.02 V/μm(电流密度为10 μA/cm2),在24 V/μm 的电场下,其电流密度达到5.5 mA/cm2.此外,对InN纳米线的场发射机理也进行了讨论.
利用低壓化學氣相沉積方法在以Au作催化劑的Si襯底上生長瞭InN納米線.掃描電子顯微鏡分析錶明,這些納米線的直徑在60-100 nm的範圍內,而其長度大于1 μm.高分辨透射電子顯微鏡圖像錶明,閤成的納米線中含有六方相和立方相的InN晶體.這些InN納米線具有良好的場髮射特性和穩定的場髮射電流,其開啟場為10.02 V/μm(電流密度為10 μA/cm2),在24 V/μm 的電場下,其電流密度達到5.5 mA/cm2.此外,對InN納米線的場髮射機理也進行瞭討論.
이용저압화학기상침적방법재이Au작최화제적Si츤저상생장료InN납미선.소묘전자현미경분석표명,저사납미선적직경재60-100 nm적범위내,이기장도대우1 μm.고분변투사전자현미경도상표명,합성적납미선중함유륙방상화립방상적InN정체.저사InN납미선구유량호적장발사특성화은정적장발사전류,기개계장위10.02 V/μm(전류밀도위10 μA/cm2),재24 V/μm 적전장하,기전류밀도체도5.5 mA/cm2.차외,대InN납미선적장발사궤리야진행료토론.
