Si/SiNx/SiO2 多层膜的光致发光
Si/SiNx/SiO2 다층막적광치발광
Photoluminescence of Si/SiNx/SiO2 Multilayers
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2008年 2期 363-370 ,共8页

    陈青云%段满益%周海平%董成军%魏屹%纪红萱%黄劲松%陈卫东%徐明

    진청운%단만익%주해평%동성군%위흘%기홍훤%황경송%진위동%서명

    Si/SiNx/SiO2多层膜%红外吸收%光致发光 Si/SiNx/SiO2多層膜%紅外吸收%光緻髮光
    Si/SiNx/SiO2다층막%홍외흡수%광치발광
    采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究.用260 nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392 nm(3.2 eV)和670 nm (1.9 eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光.PL谱中只有370 nm(3.4 eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370 nm发光与低价氧化物-SiOx(x＜2.0)结合体有密不可分的关系.当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800 ℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si-N网络,能够得到更高效的光致发光.用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型.
    채용사빈자공천사법,제비료구유강광치가견발광적납미Si/SiNx/SiO2다층막,이용부립협홍외흡수(FTIR)보,광치발광(PL)보대기진행료연구.용260 nm광격발득도적PL보중관찰도고강도적392 nm(3.2 eV)화670 nm (1.9 eV)광치발광봉,분석인위타문분별래자우결함태≡Si-도개대정화종도대저도결함태≡Si-적복사약천이산생적광치격발복사복합발광.PL보중지유370 nm(3.4 eV)처발광봉적봉위회수퇴화온도적영향,결합FTIR보인위370 nm발광여저개양화물-SiOx(x＜2.0)결합체유밀불가분적관계.당SiO2층적후도증대시,발광강도유소증강,800 ℃퇴화후출현최강발광,인위구유교대SiO2층후도적Si/SiNx/SiO2결구다층막경유리우퇴화후형성Si-N망락,능구득도경고효적광치발광.용양자한제-발광중심(QCLC)모형해석료가능적발광궤제,병건립료발광적능극태(EGS)모형.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문