CAJ | 학술논문

针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.
침대SiC츤저결함밀도상대교고적문제,연구료소제혹감약기영향적공예기술병진행료기건연제.통과우화각식조건획득료조조도위2.07 nm적각식표면;희생양화기술거제각식대래적표면손상층,습양가간양적양화방식생장적SiO2둔화막기유족구적후도우보증료치밀성량호적계면,감소료표면태대책특성화구도구적영향,획득료이상인자위1.17,세루고도위0.72 eV적량호적초특기특성;등평면공예유효병폐료츤저결함대전겁호련인선적영향,감소료반향절지루전류,사기건재1 mA하격천전압체도료65 V,40 V하반향루전류위20μA.위료제고기건성품솔,피면혹감소츤저결함심능급대구도전류적영향,사용해공예제비적소책관SiCMESFET구유195 mA/mm적포화전류밀도,-15 V적협단전압.초보측시해기건유일정적미파특성,2 GHz하측시기최대수출공솔위30 dBm,증익대우5 dB.