用QCD理论研究D→π lv～l(l=e,μ)衰变过程
용QCD이론연구D→π lv～l(l=e,μ)쇠변과정
Research on D→π lv～(l=e,μ) Decay with QCD Theory
  • 万方数据
    核电子学与探测技术 핵전자학여탐측기술
    NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
    2010年 12期 1582-1586,1593 ,共6页

    赵书华%吴义恒%王清才%王岩%刘晓静%刘茂军%郭义庆

    조서화%오의항%왕청재%왕암%류효정%류무군%곽의경

    D介子半轻衰变%分支比%形状因子 D介子半輕衰變%分支比%形狀因子
    D개자반경쇠변%분지비%형상인자
    用光锥QCD求和规则计算D→π lv～l(l=e,μ)衰变过程的分支比.通过计算D→π跃迁形状因子f+Dπ(q2)和计算形状因子fDπ(q2),就能考虑轻子(e,μ)质量对分支比的影响,可分别计算D→π ev～e,D→π μv～μ衰变过程的分支比,并把理论计算与最近实验结果进行了比较,发现计算的分支比在实验数据误差范围之内.
    용광추QCD구화규칙계산D→π lv～l(l=e,μ)쇠변과정적분지비.통과계산D→π약천형상인자f+Dπ(q2)화계산형상인자fDπ(q2),취능고필경자(e,μ)질량대분지비적영향,가분별계산D→π ev～e,D→π μv～μ쇠변과정적분지비,병파이론계산여최근실험결과진행료비교,발현계산적분지비재실험수거오차범위지내.
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