浙江大学学报（工学版）
浙江大學學報（工學版）
절강대학학보（공학판）
JOURNAL OF ZHEJIANG UNIVERSITY(ENGINEERING SCIENCE)
2005年
8期
1243-1246
,共4页
张际亮%沃银花%郦剑%甘正浩%徐亚伯
張際亮%沃銀花%酈劍%甘正浩%徐亞伯
장제량%옥은화%역검%감정호%서아백
常压化学气相沉积(APCVD)%铝基SiOx膜层%显微结构%光学性能
常壓化學氣相沉積(APCVD)%鋁基SiOx膜層%顯微結構%光學性能
상압화학기상침적(APCVD)%려기SiOx막층%현미결구%광학성능
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁.
採用低溫常壓化學氣相沉積(APCVD)的方法在鋁基底上製備硅氧化物陶瓷膜層.採用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技術分析膜層的成分、結構組織和形貌特徵,併測試瞭膜層的光學吸收性能.研究結果錶明,SiOx中的硅氧原子比為1∶1.60～1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜層大部分為非晶態組織,包含少量跼部有序區域.SiOx陶瓷膜層沉積在鋁基上後具有很高的紫外-可見光吸收率和較高的近紅外光吸收率,產生機製是硅氧化物陶瓷膜層中氧空位存在跼域電子態,電子吸收能量產生能級躍遷.
채용저온상압화학기상침적(APCVD)적방법재려기저상제비규양화물도자막층.채용XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS화NIRS등기술분석막층적성분、결구조직화형모특정,병측시료막층적광학흡수성능.연구결과표명,SiOx중적규양원자비위1∶1.60～1∶1.75,규양화물도자막층대부분위비정태조직,포함소량국부유서구역.SiOx도자막층침적재려기상후구유흔고적자외-가견광흡수솔화교고적근홍외광흡수솔,산생궤제시규양화물도자막층중양공위존재국역전자태,전자흡수능양산생능급약천.
